- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 28/02 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état solide
Détention brevets de la classe C30B 28/02
Brevets de cette classe: 36
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
4 |
NGK Insulators, Ltd. | 4589 |
3 |
Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
3 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
2 |
Brigham Young University | 580 |
2 |
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | 2329 |
2 |
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences | 153 |
2 |
Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 589 |
2 |
Au Optronics Corporation | 3880 |
1 |
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
1 |
Advanced Lithium Electrochemistry Co., Ltd. | 21 |
1 |
Beijing Normal University | 86 |
1 |
Clene Nanomedicine, Inc. | 32 |
1 |
Hydro-Quebec | 637 |
1 |
Jiangxi Sai Wei LDK Solar Hi-Tech Co., Ltd. | 5 |
1 |
Meeir Technologie Inc. | 3 |
1 |
Nexeon Limited | 130 |
1 |
NUtech Ventures | 301 |
1 |
Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation | 142 |
1 |
Snu R&db Foundation | 469 |
1 |
Autres propriétaires | 4 |